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yi︰絕對最大額定值(任heqing況下都不 hi沓 淖畬籩 /span>，超過此值可能會導致產品失效)
1. 額定電ya
VDS︰GS短接，漏極D和源極Sjiansuo能施加的最大電ya值
VGS︰DS短接，柵極G和源極Sjiansuo能施加的最大電ya值
2. 額定電流
ID︰漏極 hi磽 淖畬籩繃韉緦髦擔 酥 hou導通阻抗，封zhuang和內部連線等的制約
IDM︰漏極 hi磽 淖畬舐齔宓緦髦擔 酥 hou脈沖寬度和佔空比等的制約
3. 額定功耗
PD︰芯片suo能承shou的最大功耗，測定條件有以下兩種︰
1) 管ke溫度TC=25℃，接sanreban，shi芯片jie溫達到TJmax時施加的功率大小；
2) 環境溫度TA=25℃，不接sanreban，shi芯片jie溫達到TJmax時施加的功率大小；
4. 額定溫度
TJ︰jie溫，芯片suo能承shou的最大溫度，yi般TJ≦150℃
Tstg︰MOSFET器件本身的儲存溫度範圍，yi般最低為-55℃，最高為150℃
5.re阻
re阻︰biaoshi產品sanre性能的hao壞，re阻值越小，sanre性能越hao
RθJA︰芯片到環境jian的re阻抗
RθJC︰芯片到封zhuang管kejian的re阻抗
yi般re阻值可通過額定功耗和溫度計算得出︰
RθJA= ( TJ(MAX) - TA ) / PD
RθJC= ( TJ(MAX) - TC ) / PD
6. 安全動作區SOA
SOA全稱Safe Operating Area，主yao由4個限制區構成，如下圖suoshi︰
A︰導通阻抗限制
B︰額定電流限制
C︰額定功耗限制(單脈沖)
D︰額定電ya限制
7. MOSFET抗雪崩能力
1) 雪崩電流IAS，IAR
2) 雪崩能量EAS，EAR
EAS︰單次雪崩能量，yi次性雪崩qijiansuo能承shou的能量，以TJ≦150℃為極限
EAR︰zhongfu雪崩能量，suo能承shou以yi定頻率zhongfu出xian的雪崩能量，以TJ≦150℃為極限
單次雪崩
zhongfu雪崩
MOSFET雪崩能力測試電路
怎樣選zeMOSFET的額定參數(tui薦)︰
電ya︰應高于實際最大電ya的1.2倍
電流︰應高于實際最大電流的1.2倍
功耗︰應高于實際最大功耗的1.5倍
jie溫︰實際shi用不應超過125℃
二︰電參數
1. 漏電流
IDSS:VGS=0V，在DSjian加額定電yaVDS(yi般為80%BVDSS)，流過ID的漏電流；
IGSS:VDS=0V，在GSjian加額定電yaVGS(yi般為100%VGS)，流過IG的漏電流；
2. 開啟電yaVGS(th)
yi般為VDS=VGS，ID=250uA條件下的VGS值；MOSFET的VGS(th)值具有 e露忍匭裕 i溫度升高，VGS(th)參數值會jiang低
3. 導通阻抗 RDS(on)
MOSFETchu于導通狀態時的阻抗，導通阻抗越大，開啟狀態時的sun耗就越大，suo以MOS管的選取，導通阻抗越小越hao；MOSFET的RDS(on)值具有正溫度特性，ji溫度升高，RDS(on)參數值會增大
導通阻抗RDS(on)yi般在zhi定VGS和ID值的條件下測量得到，常溫條件下，xiang同VGS值，ID越大，RDS(on)值也會越大；xiang同ID值，VGS越大，RDS(on)值會越小
4. 正向chuan導系數gFS
定義︰漏極電流ID變hua量與VGS值變hua量的比值 ，單wei為S(西門zi)，類似于雙極型晶體管的HFE
5. 內部電容量
MOSFET容量值越小，QG越小，開關速度越kuai，開關sun耗越小
6. 電荷量
QG︰柵極總電荷量
QGS︰柵源極jian的電荷量
QGD︰柵漏極jian的電荷量
MOSFET電荷的容量越大，suo需開關時jian越長，開關sun失越大
、
7. 開關時jian
td(on)︰開啟延chi時jian
td(off)︰關斷延chi時jian
tr︰上升時jian
tf︰下jiang時jian
8. 體二極管
MOS管襯底和漏極之jian存在PNjiesuo形成的二極管，通常襯底和源極短接gu等效為源極和漏極之jian的二極管，該二極管與溝道binglian。測量體二極管參數時必xushi溝道chu于關bi狀態。
